Samsung ha annunciato martedì di aver avviato la produzione in volumi di nuovi moduli DRAM DDR3 da 4Gb con processo produttivo a 20nm. Il nuovo comunicato segue le prime dichiarazioni della società sui nuovi chip, avvenute durante lo scorso anno.
In termini di efficienza produttiva i nuovi chip DDR3 a 20nm garantiscono circa un vantaggio del 30% rispetto ai precedenti realizzati con processo produttivo a 25nm, mentre rispetto ai modelli ancora precedenti (a 30nm) si ha un vantaggio di circa il doppio. Dal punto di vista dei consumi energetici, invece, i nuovi modelli garantiranno un consumo ridotto del 25% rispetto a quanto permesso dal processo produttivo a 25nm.
Utilizzare processi produttivi più evoluti richiede, nel caso dei moduli DRAM, accorgimenti sensibilmente superiori rispetto a quanto avviene, ad esempio, con le memorie NAND Flash. In queste ultime ogni singola cella è composta da un solo transistor, mentre nei moduli DRAM il transistor deve essere collegato ad un condensatore che si trova nella stessa cella.
I moduli DRAM a 20nm sono prodotti utilizzando fluoruro di argo in una litografia laser ad eccimeri, combinando diverse tecniche avanzate di produzione. Secondo Samsung, le nuove tecnologie di produzione spianano la strada ad eventuali evoluzioni future: sviluppando le stesse tecniche, infatti, sarà possibile adottare un processo produttivo a 10nm.
Grazie ai 20nm Samsung è abbastanza fiduciosa di poter spingere ancora più in avanti l'evoluzione tecnologica del settore mobile, portando smartphone e tablet ad avere addirittura performance in linea a quelle di sistemi notebook e desktop.
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Avviata la produzione dei primi chip DRAM DDR3 a 20nm da 4 Gigabit
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